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WEDPN16M72V-100B2I、WEDPN16M72V-133B2I、WEDPN16M72V-125B2I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 WEDPN16M72V-100B2I WEDPN16M72V-133B2I WEDPN16M72V-125B2I

描述 DRAM MemoryDRAM MemoryDRAM Module SDRAM 1Gbit

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA BGA BGA

引脚数 - 219 219

封装 BGA BGA BGA

高度 - 2.03 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

存取时间(Max) - 6 ns 6 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

RoHS标准 - Non-Compliant -