锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TPS28226D、TPS28226DR、TPS28226DRBT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS28226D TPS28226DR TPS28226DRBT

描述 MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers高频率4 -A水槽同步MOSFET驱动器 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 VDFN-8

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

电源电压(DC) 6.80V (min) - -

上升/下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 1.25 W 1250 mW 2.58 W

上升时间 10 ns 10 ns 10 ns

下降时间 10 ns 5 ns 10 ns

下降时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

上升时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 2580 mW

电源电压 6.8V ~ 8.8V 6.8V ~ 8.8V 6.8V ~ 8.8V

电源电压(Max) 8.8 V 8.8 V -

电源电压(Min) 4 V 4 V -

输出电流 - 6 A -

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 VDFN-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free