锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N6520RLRA、2N6520TA、2N6520BU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6520RLRA 2N6520TA 2N6520BU

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 350V PNPON Semiconductor 2N6520TA , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 - 200 MHz -

针脚数 - 3 -

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 20 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

额定电压(DC) -350 V - -350 V

额定电流 -500 mA - -500 mA

极性 PNP - PNP, P-Channel

集电极最大允许电流 0.5A - -

最大电流放大倍数(hFE) - - 200

长度 5.2 mm 4.58 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 3.86 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99