IGW25N120H3、RJH1CF5RDPQ-80#T2对比区别
型号 IGW25N120H3 RJH1CF5RDPQ-80#T2
描述 IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192300mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 326 W 192300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V
额定功率(Max) 326 W 192.3 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 326 W 192300 mW
额定功率 326 W -
针脚数 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.13 mm -
宽度 5.21 mm -
高度 21.1 mm -
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -