RJH1CF5RDPQ-80#T2
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Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
RJH1CF5RDPQ-80#T2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 192300 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 192.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 192300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RJH1CF5RDPQ-80#T2引脚图与封装图 
RJH1CF5RDPQ-80#T2引脚图
RJH1CF5RDPQ-80#T2封装图
RJH1CF5RDPQ-80#T2封装焊盘图
在线购买RJH1CF5RDPQ-80#T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RJH1CF5RDPQ-80#T2 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192300mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube | 搜索库存 |
替代型号RJH1CF5RDPQ-80#T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RJH1CF5RDPQ-80#T2 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： TO-247-3 192300mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192300mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube | 当前型号 |
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