APT20M34BLLG、IXFH58N20、STW75NF20对比区别

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型号 APT20M34BLLG IXFH58N20 STW75NF20

描述 TO-247 N-CH 200V 74AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH58N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 74.0 A 58.0 A -

额定功率 - 300 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.04 Ω 0.028 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 403 W 300 W 190 W

阈值电压 - 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 74.0 A 58.0 A 47.0 A, 75.0 A

上升时间 - 15 ns 33 ns

输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 190 W

下降时间 - 16 ns 29 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 190W (Tc)

输入电容 3.66 nF - -

栅电荷 60.0 nC - -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 200 V

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 20.15 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -