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VN0106N3-G、VN0106N3-G-P003、2SK3018T106对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN0106N3-G VN0106N3-G-P003 2SK3018T106

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 2.4 VTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3Pin TO-92 T/RROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-323

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 100 mA

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 2.5 Ω - 8 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 1 W 1W (Tc) 200 mW

阈值电压 2.4 V - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.35A - 100 mA

上升时间 5 ns 5 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 65 pF 65pF @25V(Vds) 13pF @5V(Vds)

额定功率(Max) - - 200 mW

下降时间 5 ns 5 ns 80 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 200mW (Ta)

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 1 W - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-323

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Not For New Designs

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99