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LS204CD、MC33178DR2G、BA4560RF-E2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LS204CD MC33178DR2G BA4560RF-E2

描述 高性能双路运算放大器 High performance dual operational amplifierMC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor低噪声运算放大器 Low Noise Operational Amplifiers

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP-8

供电电流 800 µA 1.7 mA 3 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 0.5 W - 0.59 W

共模抑制比 86 dB 110 dB 70 dB

带宽 - 5 MHz 4 MHz

转换速率 1.00 V/μs 2.00 V/μs 4.00 V/μs

增益频宽积 2.5 MHz 5 MHz 4 MHz

输入补偿电压 500 µV 1.5 mV 500 µV

输入偏置电流 100 nA 100 nA 50 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 5 MHz 4 MHz

电源电压(Max) 30 V - 30 V

电源电压(Min) 6 V - 8 V

耗散功率(Max) 500 mW - -

共模抑制比(Min) 86 dB 80 dB -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电流 - 80 mA -

电源电压 - 36 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOP-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.65 mm 1.5 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -