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TIP126TU、TIP127G、TIP126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP126TU TIP127G TIP126

描述 Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - -100 V -80.0 V

额定电流 - -5.00 A -5.00 A

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 5 A -

极性 - PNP, P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 2 W 65 W 2000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

集电极最大允许电流 - 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 3V 1000 @3A, 3V 1000 @3A, 3V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 1000 1000 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 65 W 2000 mW 2000 mW

输入电压 - 2.5 V -

针脚数 3 - -

长度 10.67 mm 10.28 mm -

宽度 4.83 mm 4.82 mm -

高度 16.51 mm 9.28 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Bag

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99