TPS2811P、UC3707N、UC3708NG4对比区别
描述 MOSFET 和 IGBT 驱动器，高达 2.5A，Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS UC3707N 芯片, 驱动器, 2输出TEXAS INSTRUMENTS UC3708NG4 双功率驱动器, 非反相, 5V-35V电源, 3A输出, 25ns延迟, DIP-8
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 8 16 8
封装 PDIP-8 DIP-16 DIP-8
电源电压(DC) 4.00V (min) 40.0V (max) 5.00V (min)
上升/下降时间 14ns, 15ns 40 ns 25 ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 15.5 V - 35.3 V
输出电流 2 A - 3.00 A
通道数 2 - 2
针脚数 - 16 8
上升时间 14 ns 60 ns 45 ns
输出电压(Max) 13 V - 35.3 V
输出电流(Max) - 1.5 A 3 A
下降时间 15 ns 65 ns 50 ns
下降时间(Max) 35 ns 65 ns 50 ns
上升时间(Max) 35 ns 60 ns 45 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4V ~ 14V 5V ~ 40V 5V ~ 35V
电源电压(Max) 14 V 40 V 35 V
电源电压(Min) 4 V 5 V 5 V
供电电流 5.00 mA - -
耗散功率 1090 mW 2000 mW -
耗散功率(Max) 1090 mW 2000 mW -
封装 PDIP-8 DIP-16 DIP-8
长度 9.81 mm 19.3 mm -
宽度 6.35 mm 6.35 mm -
高度 4.57 mm 4.57 mm -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -