HAT2174H-EL-E、PSMN028-100YS,115、PH20100S,115对比区别

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型号 HAT2174H-EL-E PSMN028-100YS,115 PH20100S,115

描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 100V 42APH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 4 4

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 20 W 89 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 42A 34.3 A

上升时间 13 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 2280pF @10V(Vds) 1634pF @50V(Vds) 2264pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 89 W 62.5 W

下降时间 5.5 ns 12 ns -

耗散功率(Max) 20W (Tc) 89W (Tc) 62.5W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 20.0 A - -

输入电容 2.28 nF - -

栅电荷 33.5 nC - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free