锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLC251CD、TLC251CDG4、AD8627ARZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC251CD TLC251CDG4 AD8627ARZ

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments运算放大器 - 运放 LinCMOS Prog Low-PowerAnalog Devices

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器比较器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.0 V 16.0 V 13.0 V

供电电流 950 µA 950 µA 710 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 0.725 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 66 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K -

带宽 1.7 MHz 1.7 MHz 5 MHz

转换速率 4.00 V/μs 4.00 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 5 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 350 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.25 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 1.7 MHz 5 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 66 dB

电源电压 1.4V ~ 16V 1.4V ~ 16V 5V ~ 26V

电源电压(Max) 16 V 16 V 26 V

输出电流 - - 10mA @5V

针脚数 8 - 8

输入阻抗 - - 1.00 TΩ

电源电压(Min) 1.4 V - 5 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 2015/12/17

军工级 - - No

ECCN代码 - - EAR99