IPD80R2K8CEATMA1、IPD80R2K8CEBTMA1、SPD01N60C3BTMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPD80R2K8CEATMA1 IPD80R2K8CEBTMA1 SPD01N60C3BTMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 800V 1.9ADPAK N-CH 600V 0.8A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2.4 Ω - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 42 W 42 W 11W (Tc)

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 1.9A 1.9A 0.8A

上升时间 15 ns 15 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 290pF @100V(Vds) 290pF @100V(Vds) 100pF @25V(Vds)

下降时间 18 ns 18 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc) 11W (Tc)

额定功率(Max) - 42 W 11 W

额定功率 - 42 W -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.5 mm 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free