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MC100LVEL11DTR2G、SN65LVEL11DGKR、SN65LVEL11DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC100LVEL11DTR2G SN65LVEL11DGKR SN65LVEL11DR

描述 MC100LVEL11 系列 1 GHz 3.8 V ECL 1:2 差分 扇出缓冲器 - TSSOP-83.3 V ECL 1 : 2扇出缓冲器 3.3 V ECL 1:2 Fanout Buffer3.3 V ECL 1 : 2扇出缓冲器 3.3 V ECL 1:2 Fanout Buffer

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 VSSOP-8 SOIC-8

输出接口数 2 2 2

电路数 1 1 1

耗散功率 - 0.527 W 0.84 W

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 527 mW 840 mW

电源电压 3V ~ 3.8V 3V ~ 3.8V 3V ~ 3.8V

无卤素状态 Halogen Free - -

封装 TSSOP-8 VSSOP-8 SOIC-8

长度 3.1 mm - -

宽度 3.1 mm - -

高度 0.95 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -