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IMT1AT108、IMT1AT110、IMT1A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IMT1AT108 IMT1AT110 IMT1A

描述 IMT1A 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 PNP 通用 隔离 晶体管 -SC-74ROHM  IMT1AT110  双极晶体管阵列, 双路, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457IMT1A PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记T1 用于开关/数字电路

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-457 SOT-457 SOT-163

频率 - 140 MHz -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -150 mA -

额定功率 - 0.3 W -

针脚数 - 6 -

极性 PNP PNP PNP+PNP

耗散功率 - 300 mW -

增益频宽积 - 140 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -50V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A -0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V 120

最大电流放大倍数(hFE) 560 560 -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 120 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SOT-457 SOT-457 SOT-163

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -