IMT1AT108
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMT1AT108中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMT1AT108引脚图与封装图 
IMT1AT108引脚图
IMT1AT108封装图
IMT1AT108封装焊盘图
在线购买IMT1AT108
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMT1AT108 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | IMT1A 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 PNP 通用 隔离 晶体管 -SC-74 | 搜索库存 |
替代型号IMT1AT108
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMT1AT108 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-74 PNP | 当前型号 | IMT1A 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 PNP 通用 隔离 晶体管 -SC-74 | 当前型号 |
| 型号： IMT1AT110 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 PNP -50V -150mA 300mW | 完全替代 | ROHM IMT1AT110 双极晶体管阵列, 双路, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457 | IMT1AT108和IMT1AT110的区别 |
| 型号： IMT1A 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-163/SMT6/SC-74 PNP+PNP | 功能相似 | IMT1A PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记T1 用于开关/数字电路 | IMT1AT108和IMT1A的区别 |
| 型号： AT-110 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN | IMT1AT108和AT-110的区别 |