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2N7002K-E3、AO3460、2N7002LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002K-E3 AO3460 2N7002LT1G

描述 SOT-23 N-CH 60V 0.3A60V,0.5A,N沟道MOSFETON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.3A 0.65A 115 mA

输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) 27pF @30V(Vds) 50pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 1.4W (Ta) 225mW (Ta)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 115 mA

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 7.5 Ω

耗散功率 - 1.4 W 200 mW

阈值电压 - - 2.5 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

正向电压(Max) - - 1.5 V

额定功率(Max) - 1.4 W 225 mW

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - 1 mm 0.94 mm

材质 Silicon - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

产品生命周期 - Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

ECCN代码 - - EAR99