BCR35PN、MUN5314DW1T1G、PUMD9,115对比区别

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型号 BCR35PN MUN5314DW1T1G PUMD9,115

描述 NPN / PNP硅数字晶体管阵列 NPN/PNP Silicon Digital Transistor ArrayON SEMICONDUCTOR  MUN5314DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363NXP  PUMD9,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-363 SC-70-6 TSSOP-6

针脚数 - - 6

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 - 187 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

耗散功率(Max) - 385 mW -

长度 - 2 mm 2.2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.35 mm

高度 - 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-363 SC-70-6 TSSOP-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 NLR - NLR

ECCN代码 - EAR99 -