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MT47H64M8CF-25E IT:G TR、MT47H64M8SH-25E IT:H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H64M8CF-25E IT:G TR MT47H64M8SH-25E IT:H

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R512M (64M x 8) 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 60 60

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

供电电流 - 125 mA

时钟频率 - 400 MHz

位数 8 8

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

高度 0.8 mm -

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free