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MT47H64M8SH-25E IT:H

MT47H64M8SH-25E IT:H

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

512M 64M x 8 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA(8x10)


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MT47H64M8SH-25E IT:H


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MT47H64M8SH-25E IT:H中文资料参数规格
技术参数

供电电流 125 mA

时钟频率 400 MHz

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT47H64M8SH-25E IT:H引脚图与封装图
MT47H64M8SH-25E IT:H引脚图

MT47H64M8SH-25E IT:H引脚图

MT47H64M8SH-25E IT:H封装图

MT47H64M8SH-25E IT:H封装图

MT47H64M8SH-25E IT:H封装焊盘图

MT47H64M8SH-25E IT:H封装焊盘图

在线购买MT47H64M8SH-25E IT:H
型号 制造商 描述 购买
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron 镁光 512M 64M x 8 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60 搜索库存
替代型号MT47H64M8SH-25E IT:H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT47H64M8SH-25E IT:H

品牌: Micron 镁光

封装: 60-TFBGA

当前型号

512M 64M x 8 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60

当前型号

型号: MT47H64M8JN-25E IT:G

品牌: 镁光

封装: 60-TFBGA

完全替代

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA

MT47H64M8SH-25E IT:H和MT47H64M8JN-25E IT:G的区别

型号: MT47H64M8CF-25E IT:G TR

品牌: 镁光

封装: 60-TFBGA

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