NT5CB256M8BN-CG、W632GG8KB12I、H5TQ1G83TFR-H9C对比区别

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型号 NT5CB256M8BN-CG W632GG8KB12I H5TQ1G83TFR-H9C

描述 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.5V 78Pin WBGAIC SDRAM 2GBIT 800MHz 78BGADDR DRAM, 128MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

数据手册 ---

制造商 Nanya (南亚) Winbond Electronics (华邦电子股份) SK Hynix (海力士)

分类 存储芯片

封装 TFBGA TFBGA-78 TFBGA

封装 TFBGA TFBGA-78 TFBGA

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

电源电压 - 1.425V ~ 1.575V -

工作温度 - -40℃ ~ 95℃ -

ECCN代码 - EAR99 -