FDU6692、FDU8882、ISL9N312AD3对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDU6692 FDU8882 ISL9N312AD3

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251

漏源极电阻 12.0 mΩ 11.5 mΩ 20.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 57.0 W 55W (Tc) 75.0 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 54.0 A 55.0 A 50.0 A

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 55.0 A -

输入电容 - 1.26 nF -

栅电荷 - 22.0 nC -

上升时间 - 82.0 ns -

输入电容(Ciss) - 1260pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 55 W -

耗散功率(Max) - 55W (Tc) -

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -