FDU8882
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDU8882中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 55.0 A
漏源极电阻 11.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55W Tc
输入电容 1.26 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 82.0 ns
输入电容Ciss 1260pF @15VVds
额定功率Max 55 W
耗散功率Max 55W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDU8882引脚图与封装图
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在线购买FDU8882
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDU8882 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDU8882
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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