FDB2532、NTB35N15T4、NTB35N15T4G对比区别
型号 FDB2532 NTB35N15T4 NTB35N15T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2532 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAKN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 150 V 150 V 150 V
额定电流 79.0 A 37.0 A 37.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.014 Ω 50.0 mΩ 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 2 W 178 W
阈值电压 4 V - 2.9 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 79.0 A 37.0 A 37.0 A
上升时间 30 ns 125 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 5870pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W - 2 W
下降时间 17 ns - 120 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 2 W 2 W
额定功率 310 W - -
输入电容 5.87 nF - -
栅电荷 82.0 nC - -
长度 10.67 mm - 9.65 mm
宽度 11.33 mm - 10.29 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99