FDB2532
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB2532中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 79.0 A
额定功率 310 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 5.87 nF
栅电荷 82.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 79.0 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 5870pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB2532引脚图与封装图
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在线购买FDB2532
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB2532 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2532 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDB2532
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB2532 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 150V 79A 16mohms 5.87nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2532 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： NTB35N15T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 N-Channel 150V 37A 50mohms | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | FDB2532和NTB35N15T4G的区别 |
| 型号： NTB35N15T4 品牌： 安森美 封装： D²Pak N-Channel 150V 37A 50mohms | 功能相似 | 功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK | FDB2532和NTB35N15T4的区别 |