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IRFR4105Z、IRFR4105ZPBF、AUIRFR4105Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4105Z IRFR4105ZPBF AUIRFR4105Z

描述 DPAK N-CH 55V 30AINFINEON  IRFR4105ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 19.0 mΩ 0.0245 Ω 24.5 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 48W (Tc) 48 W 48 W

产品系列 IRFR4105Z - AUIRFR4105Z

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 48 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 48 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A -

上升时间 40.0 ns 40 ns -

下降时间 - 24 ns -

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 30.0 A - -

漏源击穿电压 55.0V (min) - -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -