IRFR4105Z
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFR4105Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 19.0 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 48W Tc
产品系列 IRFR4105Z
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0V min
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 40.0 ns
输入电容Ciss 740pF @25VVds
耗散功率Max 48W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFR4105Z引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFR4105Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR4105Z 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-CH 55V 30A 19mΩ | 当前型号 | DPAK N-CH 55V 30A | 当前型号 |
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| 型号： IRFR4105ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 30A | 类似代替 | INFINEON IRFR4105ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 V | IRFR4105Z和IRFR4105ZPBF的区别 |