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JAN2N5153、JANS2N5153、2N5153LEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5153 JANS2N5153 2N5153LEADFREE

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORTO-39 PNP 80V 5A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

耗散功率 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

极性 - - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 - - 5A

最小电流放大倍数(hFE) 70 @2.5A, 5V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -