JAN2N5153

Microsemi(美高森美) 分立器件

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JAN2N5153中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JAN2N5153引脚图与封装图

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JAN2N5153	Microsemi 美高森美	PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR	搜索库存

替代型号JAN2N5153

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： JAN2N5153 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-39	当前型号	PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR	当前型号
型号： JANS2N5153 品牌：美高森美封装： TO-39 1000mW	完全替代	PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR	JAN2N5153和JANS2N5153的区别
型号： JANS2N5153L 品牌：美高森美封装： TO-5	完全替代	PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR	JAN2N5153和JANS2N5153L的区别
型号： 2N5153LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装：	功能相似	TO-39 PNP 80V 5A	JAN2N5153和2N5153LEADFREE的区别