2SJ412、IRF9630STRR、IRF9530STRLPBF对比区别

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型号 2SJ412 IRF9630STRR IRF9530STRLPBF

描述 2SJ412 P沟道MOS场效应管 -100V -16A 0.15ohm SOT-263 marking/标记 J412 高速高电流开关 斩波稳压 DC/DC转换 电机驱动MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKMOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 - 3W (Ta), 74W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 200 V 100 V

输入电容(Ciss) 1100pF @10V(Vds) 700pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 3W (Ta), 74W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -16.0 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 210 mΩ - -

极性 P-CH - -

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A - -

上升时间 18.0 ns - -

额定功率(Max) 60 W - -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free