2SJ412

Toshiba 东芝分立器件

2SJ412 P沟道MOS场效应管 -100V -16A 0.15ohm SOT-263 marking/标记 J412 高速高电流开关斩波稳压 DC/DC转换电机驱动

DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

• 4-V gate drive

• Low drain-source ON resistance: RDS ON= 0.15 Ωtyp.

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.7 S typ.

• Low leakage current: IDSS= −100 μA max VDS= −100 V

• Enhancement mode: Vth = −0.8 to −2.0 V VDS= −10 V, ID= −1 mA

贸泽:
MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

Win Source:
P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS

2SJ412中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -16.0 A

通道数 1

漏源极电阻 210 mΩ

极性 P-CH

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 18.0 ns

输入电容Ciss 1100pF @10VVds

额定功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

2SJ412引脚图与封装图

暂无图片

在线购买2SJ412

型号	制造商	描述	购买
2SJ412	Toshiba 东芝	2SJ412 P沟道MOS场效应管 -100V -16A 0.15ohm SOT-263 marking/标记 J412 高速高电流开关斩波稳压 DC/DC转换电机驱动	搜索库存

替代型号2SJ412

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2SJ412 品牌： Toshiba 东芝封装： TO-220FL/SM P-CH 100V 16A	当前型号	2SJ412 P沟道MOS场效应管 -100V -16A 0.15ohm SOT-263 marking/标记 J412 高速高电流开关斩波稳压 DC/DC转换电机驱动	当前型号
型号： IRF9630SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3	功能相似	MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK	2SJ412和IRF9630SPBF的区别
型号： IRF9530STRLPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3	功能相似	MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK	2SJ412和IRF9530STRLPBF的区别
型号： IRF9630STRLPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3	功能相似	MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK	2SJ412和IRF9630STRLPBF的区别