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AOD3N50、IRFR420ATRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOD3N50 IRFR420ATRPBF

描述 500V,2.8A,N沟道MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 57 W 83 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.8A 3.3A

上升时间 19 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 331pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 57 W -

下降时间 15 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 83W (Tc)

漏源极电阻 - 3 Ω

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free