AOD3N50
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOD3N50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 57 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 2.8A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 331pF @25VVds
额定功率Max 57 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 57W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOD3N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOD3N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOD3N50 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-252 N-CH 500V 2.8A | 当前型号 | 500V,2.8A,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRFR420ATRPBF 品牌： 威世 封装： D-Pak N-CH 500V 3.3A 3Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | AOD3N50和IRFR420ATRPBF的区别 |