FDD86250、IPD200N15N3GATMA1对比区别

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型号 FDD86250 IPD200N15N3GATMA1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD86250  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.0184 ohm, 10 V, 2.9 VDPAK N-CH 150V 50A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0184 Ω 0.016 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 132 W 150 W

阈值电压 2.9 V 3 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 8A 50A

输入电容(Ciss) 2110pF @75V(Vds) 1820pF @75V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 150 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 132W (Tc) 150W (Tc)

输入电容 - 1820 pF

上升时间 - 11 ns

下降时间 - 6 ns

长度 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17