RRL025P03TR、RW1E025RPT2CR对比区别

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型号 RRL025P03TR RW1E025RPT2CR

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.055 ohm, -10 V, -2.5 VTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6Pin WEMT T/R

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363-6 SOT-563-6

引脚数 6 -

通道数 - 1

漏源极电阻 0.055 Ω 55 mΩ

耗散功率 1 W 700 mW

阈值电压 - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

上升时间 16 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 480pF @10V(Vds) 480pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 700 mW

下降时间 33 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 320mW (Ta) 700mW (Ta)

针脚数 6 -

封装 SOT-363-6 SOT-563-6

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free