RRL025P03TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RRL025P03TR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.055 Ω
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 480pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRL025P03TR引脚图与封装图 
RRL025P03TR引脚图
RRL025P03TR封装图
RRL025P03TR封装焊盘图
在线购买RRL025P03TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RRL025P03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.055 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RRL025P03TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RRL025P03TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TUMT | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.055 ohm, -10 V, -2.5 V | 当前型号 |
| 型号： RW1E025RPT2CR 品牌： 罗姆半导体 封装： WEMT | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6Pin WEMT T/R | RRL025P03TR和RW1E025RPT2CR的区别 |