IPB096N03LGATMA1、IRLR8729PBF、IPB080N03LGATMA1对比区别

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型号 IPB096N03LGATMA1 IRLR8729PBF IPB080N03LGATMA1

描述 D2PAK N-CH 30V 35AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 30V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-2 TO-252-3 TO-263-3

额定功率 - 55 W 47 W

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.0067 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 42W (Tc) 55 W 47 W

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 35A 58A 50A

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 55W (Tc) 47W (Tc)

上升时间 - 47 ns -

额定功率(Max) - 55 W -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 6.73 mm 10 mm

宽度 - 6.22 mm 9.25 mm

高度 - 2.39 mm 4.4 mm

封装 TO-263-2 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17