IPB096N03LGATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 30V 35A

N-Channel 30V 35A Tc 42W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB096N03LGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB096N03LGATMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPB096N03LGATMA1

型号	制造商	描述	购买
IPB096N03LGATMA1	Infineon 英飞凌	D2PAK N-CH 30V 35A	搜索库存

替代型号IPB096N03LGATMA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IPB096N03LGATMA1 品牌： Infineon 英飞凌封装： D2PAK N-CH 30V 35A	当前型号	D2PAK N-CH 30V 35A	当前型号
型号： IRLR8729PBF 品牌：英飞凌封装： REEL N-Channel 30V 58A	功能相似	N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。	IPB096N03LGATMA1和IRLR8729PBF的区别
型号： IRLR8729TRPBF 品牌：英飞凌封装： TO-252-3 N-CH 30V 58A	功能相似	晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.8 V	IPB096N03LGATMA1和IRLR8729TRPBF的区别
型号： IPB080N03LGATMA1 品牌：英飞凌封装： PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A	功能相似	D2PAK N-CH 30V 50A	IPB096N03LGATMA1和IPB080N03LGATMA1的区别