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M36W432T85ZA6T、M36W832BE85ZA1T、M36W432T70ZA6T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36W432T85ZA6T M36W832BE85ZA1T M36W432T70ZA6T

描述 32兆位的2Mb X16 ,引导块闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory ProductMemory Circuit, 2MX16, PBGA66, 12 X 8MM, 0.8MM PITCH, LFBGA-6632兆位的2Mb X16 ,引导块闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Numonyx ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA-66 LFBGA LFBGA-66

安装方式 Surface Mount - -

封装 LFBGA-66 LFBGA LFBGA-66

长度 12 mm - -

宽度 8 mm - -

高度 1.1 mm - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

存取时间 85.0 ns - -

内存容量 32000000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压 2.7V ~ 3.3V - -

电源电压(Max) 3.3 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -