M36W432T85ZA6T
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
M36W432T85ZA6T中文资料参数规格
技术参数
存取时间 85.0 ns
内存容量 32000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.3V
电源电压Max 3.3 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 LFBGA-66
外形尺寸
长度 12 mm
宽度 8 mm
高度 1.1 mm
封装 LFBGA-66
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M36W432T85ZA6T引脚图与封装图
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在线购买M36W432T85ZA6T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M36W432T85ZA6T | ST Microelectronics 意法半导体 | 32兆位的2Mb X16 ，引导块闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product | 搜索库存 |
替代型号M36W432T85ZA6T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M36W432T85ZA6T 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： LFBGA 32000000B 85ns | 当前型号 | 32兆位的2Mb X16 ，引导块闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product | 当前型号 |
| 型号： M36W832TE85ZA1S 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | 32兆位的2Mb X16 ，引导块闪存和8兆位512KB SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product | M36W432T85ZA6T和M36W832TE85ZA1S的区别 |
| 型号： M36W832BE85ZA1T 品牌： Numonyx 封装： | 功能相似 | Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 12 X 8MM, 0.8MM PITCH, LFBGA-66 | M36W432T85ZA6T和M36W832BE85ZA1T的区别 |
| 型号： M36W832TE70ZA6 品牌： Numonyx 封装： | 功能相似 | Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 12 X 8MM, 0.8MM PITCH, LFBGA-66 | M36W432T85ZA6T和M36W832TE70ZA6的区别 |