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MC4558IDT、RC4558D、MC4558ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC4558IDT RC4558D MC4558ID

描述 高带宽双双极运算放大器 Wide bandwidth dual bipolar operational amplifier通用运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments高带宽双双极运算放大器 WIDE BANDWIDTH DUAL BIPOLAR OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.3 mA 2.5 mA 2.3 mA

电路数 2 2 2

耗散功率 0.68 W - 680 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

转换速率 2.20 V/μs 1.70 V/μs 2.20 V/μs

增益频宽积 5.5 MHz 3 MHz 5.5 MHz

输入补偿电压 1 mV 500 µV 1 mV

输入偏置电流 50 nA 150 nA 50 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 680 mW - 680 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(DC) - 18.0 V -

通道数 2 2 -

上升时间 - 130 ps -

输入补偿漂移 - 0.00 V/K -

带宽 5.5 MHz 3 MHz -

增益带宽 5.5 MHz 3 MHz -

电源电压(Max) - 30 V -

电源电压(Min) - 10 V -

针脚数 8 - -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.65 mm 1.58 mm 1.65 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99