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BD436、BD436STU、MJE371G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD436 BD436STU MJE371G

描述 STMICROELECTRONICS  BD436  单晶体管 双极, PNP, 32 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFETrans GP BJT PNP 32V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  MJE371G  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) - -32.0 V -40.0 V

额定电流 - -4.00 A -4.00 A

极性 PNP P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 36 W 36 W 40 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 40 V

集电极最大允许电流 - 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V 40 @1A, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36 W 4000 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 140 - 40

长度 - 8 mm -

宽度 - 3.25 mm 2.66 mm

高度 - 11 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99