锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BUK101-50GL、BUK118-50DL,127、VNP28N04对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK101-50GL BUK118-50DL,127 VNP28N04

描述 功率MOS晶体管逻辑电平TOPFET PowerMOS transistor Logic level TOPFETSOT-78B N-CH 50V 16A? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管FET驱动器开关电源

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 50.0 V - 42.0 V

额定电流 26.0 A - 28.0 A

输出接口数 - 1 1

漏源极电阻 - - 35.0 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 75 W - 83.0 W

漏源击穿电压 - - 42.0 V

连续漏极电流(Ids) 26A 16A 28.0 A

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Max) - 16 A 20 A

输入数 - - 1

耗散功率(Max) - - 83000 mW

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -

上升时间 4 ns - -

下降时间 7 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.3 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.4 mm - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 - 150℃ (TJ) -