VNP28N04中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 42.0 V
额定电流 28.0 A
输出接口数 1
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83.0 W
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 20 A
输入数 1
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNP28N04引脚图与封装图 
VNP28N04引脚图
VNP28N04封装图
VNP28N04封装焊盘图
在线购买VNP28N04
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNP28N04 | ST Microelectronics 意法半导体 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNP28N04
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNP28N04 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STA50813TR 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO | 功能相似 | 音频放大器 40V 4.5A Quad Power | VNP28N04和STA50813TR的区别 |