FQP4N20L、IRL610A对比区别

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型号 FQP4N20L IRL610A

描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 45 W 33 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 70 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 33 W

下降时间 40 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 33W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 200 V

额定电流 3.80 A 3.30 A

漏源极电阻 1.35 Ω 1.50 Ω

极性 N-Channel N-Channel

漏源击穿电压 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.80 A 3.30 A

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.7 mm

高度 9.4 mm 16.3 mm

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 EAR99