FQP4N20L
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP4N20L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.80 A
漏源极电阻 1.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP4N20L引脚图与封装图
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在线购买FQP4N20L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP4N20L | Fairchild 飞兆/仙童 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQP4N20L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP4N20L 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 3.8A 1.35ohms | 当前型号 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRL610A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 200V 3.3A 1.5ohms | 类似代替 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | FQP4N20L和IRL610A的区别 |