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BUH50、BUH50G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUH50 BUH50G

描述 功率晶体管4安培800伏50瓦 POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 4 MHz

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 4.00 A 4.00 A

极性 NPN NPN

耗散功率 50 W 50 W

增益频宽积 - 4 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 500 V 500 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @2A, 5V 5 @2A, 5V

额定功率(Max) 50 W 50 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 50 W

长度 10.28 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.82 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99