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TL052IDRE4、TL062ACDR、TL052ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL052IDRE4 TL062ACDR TL052ID

描述 增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TL062ACDR  芯片, 运算放大器, 1MHz, 3.5V/uS, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  TL052ID  运算放大器, 双路, 3.6 MHz, 2个放大器, 20 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 4.8 mA 200 µA 4.8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 75dB ~ 93dB 80 dB 75dB ~ 93dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 10.0 µV/K 6.00 µV/K

带宽 3.00 MHz 1 MHz 3.6 MHz

转换速率 20.0 V/μs 3.50 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 1 MHz 3 MHz

输入补偿电压 650 µV 3 mV 3.5 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 30 V 36 V 30 V

电源电压(Min) 10 V 7 V 10 V

针脚数 - 8 8

增益带宽 - 1 MHz 3 MHz

共模抑制比(Min) - 80 dB 65 dB

电源电压 - 7V ~ 36V -

电源电压(DC) - - 15.0 V

输出电流 - - ≤80 mA

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC