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IPB77N06S212ATMA1、IPB77N06S212ATMA2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB77N06S212ATMA1 IPB77N06S212ATMA2

描述 D2PAK N-CH 55V 77AN-CH 55V 77A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-263-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 158W (Tc) 158W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 77A 77A

上升时间 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 158W (Tc) 158W (Tc)

长度 - 10 mm

宽度 - 9.25 mm

高度 - 4.4 mm

封装 TO-263-3-2 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅