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IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 55V 77A

N-Channel 55V 77A Tc 158W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 77A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB77N06S212ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 158W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 77A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1770pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 158W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPB77N06S212ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB77N06S212ATMA1 Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 55V 77A 搜索库存
替代型号IPB77N06S212ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB77N06S212ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 77A

当前型号

D2PAK N-CH 55V 77A

当前型号

型号: IPB77N06S212ATMA2

品牌: 英飞凌

封装: TO-263-3 N-CH 55V 77A

完全替代

N-CH 55V 77A

IPB77N06S212ATMA1和IPB77N06S212ATMA2的区别